内存卡的存储原理(浮动负电子绝缘体)

发布日期:2025-03-18 09:08:07     手机:https://m.xinb2b.cn/yule/news600275.html    违规举报
核心提示:内存卡是以单晶体管作为二进制信号的存储单元,晶体管中加入了浮动栅和控制栅。浮动栅用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,NAND单晶体管的存储状态就由1变成0,而当

内存卡的存储原理

内存卡是以单晶体管作为二进制信号的存储单元,晶体管中加入了浮动栅和控制栅。浮动栅用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,NAND单晶体管的存储状态就由1变成0,而当负电子从浮动栅中移走后,存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”,达到保存数据的目的。

 
 
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