单向可控硅测量好坏方法:用万用表测可控硅的好坏。
做法:用电阻“x1k”档,正、反向测量“A”、“K”之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻"x10Ω档测量"G、"K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。
结论:正、反向电阻值相等或差异极小时。说明可控硅的“G”、“K”并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。
单向可控硅测量好坏方法:用万用表测可控硅的好坏。
做法:用电阻“x1k”档,正、反向测量“A”、“K”之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻"x10Ω档测量"G、"K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。
结论:正、反向电阻值相等或差异极小时。说明可控硅的“G”、“K”并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。